חברת ZMD מייצרת משפחה של רכיבי זיכרון חדשים. רכיבי nvSRAM משלבים
טכנולוגיות של SRAM ושל EEPROM על גבי אותו שבב. בכל תא של SRAM משולב
אלמנט של EEPROM בלתי נדיף. במצב עבודה SRAM הזיכרון פועל כ- RAM סטאטי
ובמהירויות של RAM סטאטי. במצב עבודה non-volatile ה- Data מן ה-SRAM
מועבר במקביל אל\מ ה EEPROMלאכסון קבוע. ניתן לשנות את ה-Data ב-
EEPROM 100,000 פעמים במשך 10 שנות הפעלה. אין צורך בסוללה על מנת לבצע
את ההעברה שכן לצורך כך מספיקה האנרגיה המצויה בקבל פנימי ואו חיצוני.
רכיבי ה- nvSRAM מיוצרים בנפחים של: 16kb, 64kb, 256kb ובארגון של:
2k*8, 8k*8, 32k*8. זמן גישה מ-25 עד 70ns. מתח: 3.0v/3.3v/5.0v.
טמפרטורה מסחרית ותעשייתית. אריזות, DIP, SOP.
|
